Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) adalah jenis transistor semikonduktor yang menggabungkan keunggulan dari bipolar junction transistor (BJT) dan metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET). IGBT memiliki sifat-sifat yang unik, seperti efisiensi tinggi, kemampuan switching cepat, dan daya hantar arus yang besar.
IGBT memiliki tiga terminal, yaitu gate, emitter, dan collector. Terminal gate digunakan untuk mengontrol aliran arus melalui transistor. Terminal emitter digunakan untuk menyuplai arus ke transistor, sedangkan terminal collector digunakan untuk mengumpulkan arus yang mengalir keluar dari transistor.
IGBT terdiri dari dua bagian, yaitu:
MOSFET driver menggunakan tegangan rendah untuk mengendalikan aliran arus melalui bipolar transistor. Ketika tegangan gate diberikan, transistor akan menjadi konduktif dan arus akan mengalir dari emitter ke collector.
Prinsip kerja IGBT adalah sebagai berikut:
Ketika tegangan gate tidak diberikan, transistor akan berada dalam keadaan off. Dalam keadaan ini, tidak ada arus yang mengalir dari emitter ke collector.
Ketika tegangan gate diberikan, transistor akan menjadi konduktif. Dalam keadaan ini, arus akan mengalir dari emitter ke collector.
IGBT memiliki beberapa keunggulan dibandingkan dengan transistor jenis lain, yaitu:
IGBT memiliki efisiensi tinggi, yaitu sekitar 90%. Hal ini disebabkan karena IGBT dapat beroperasi dengan menggunakan tegangan rendah, sehingga kehilangan daya akibat panas lebih kecil.
IGBT memiliki kemampuan switching cepat, yaitu sekitar 10 ns. Hal ini disebabkan karena IGBT tidak memiliki kapasitansi parasit yang besar.
IGBT dapat menghantarkan arus yang besar, yaitu hingga 100 kA. Hal ini disebabkan karena IGBT memiliki struktur bipolar transistor yang besar.
IGBT banyak digunakan pada aplikasi daya, seperti:
Apa Itu Insulated Gate Bipolar Transistor di video
0 Komentar